先进的电路基板材料
AI Technology COUPLER™-MIP可焊覆铜板
AI Technology COUPLER™-MIP有机覆铜层压板的优势和好处，用于高性能高级芯片和板级电路。
- 介电常数（介电率）和损耗比聚酰亚胺低得多，可与聚四氟乙烯相媲美。
- 基材成本比PTFE低得多（低10倍之多），而且更容易制造出具有一致性的多层板。
- 沿XY轴和Z轴稳定且较低的CTE，以降低应力和长期热循环及冲击可靠性。
- 最高连续工作温度>230°C
- 吸湿性降低100倍，消除了聚酰亚胺基组件和板子常见的 "爆米花 "效应。
使用AI Technology COUPLER™-MIP有机覆铜板先进电路基板材料进行多层电路制作。
- 在COUPLER™-MIP有机覆铜层压基板材料上，每层的图案电路都有适当的熔点标记，材质为1/4、1/2或1盎司铜，每层的图案电路都有适当的熔点。
- 根据设计的不同层的蚀刻电路痕迹，采用传统的成像和化学工艺，蚀刻出不同层的电路痕迹
- 在适当的时候预钻或切割每层的所有通孔。
- 在260-300°C的温度下，将不同的层压合在一起，并使用Fiducial标记。
- 完成预钻孔的钻孔，并根据需要将剩余的或其他盲孔钻到适当的层中。
- 采用传统工艺的板式盲孔
- 完成成像，外层蚀刻
- 切割、检查和测试成品板或夹板
Applications:
- 高频和微波电路(聚四氟乙烯替代物)
- 高速芯片互插基板
- 高性能柔性电路基板(聚酰亚胺铜箔替代物)
- 高性能多层芯片和电路板基板材料
特点：
- 高尺寸稳定的柔性电路基板材料
- 260°C以上的多层层压技术
- 可直接焊接，最高温度可达250°C
- 性能与标准聚酰亚胺相似，但吸湿性大大降低。
- 铜层不需要额外的粘合剂就能实现
- 可同时使用UV焊接掩模，以提高良率。
可用性：
- 1 盎司铜和2密耳电介质(COUPLERTM-MIP-36)
- 1/2 盎司铜，2 mils介电体（COUPLERTM-MIP-18）。
- 1/4盎司的铜和2密尔介电体（COUPLERTM-MIP-09）。
| 特征 | FR-4 | 聚四氟乙烯 | 聚酰亚胺 | COUPLER™-MIP |
|---|---|---|---|---|
| 体积电阻率（MO-cm） | 1X108 | 0.1X108 | 1000X108 | 10X108 |
| 密度(g/cc) | 1.2 | 2.2 | 1.4 | 1.4 |
| 1MHz - 1GHz时的容许率 | 4.4 | 2.6-4.0 | 4.1 | 2.9 |
| 1MHz - 1GHz的损耗切线 | 0.018 | 0.001 | 0.006 | 0.002 |
| 介电体细分(V/微米) | 100 | 240 | 276 | 220 |
| 吸湿量(%) | 1.0-1.5 | 0.02 | 1.0-2.0 | 0.02 |
| 易燃性(UL-94) | V0 | V0 | V0 | V0 |
| 抗拉强度（MPa） | 63 | 22 | 231 | 208 |
| 热传导率(W/m/m/°K) | 0.2 | 0.3 | 0.12 | 0.3 |
| 连续工作温度 (°C) | >100 | >200 | >200 | >230 |
| 降解温度 (°C) | 290 | >300 | >300 | >350 |
| 热膨胀系数 (X-Y轴低于Tg) | 20 | 12 | 20 | 12 |
| 热膨胀系数 (Z轴低于Tg) | 60 | 12 | 20 | 12 |
| 玻璃过渡温度 (°C) | 134-178 | 未定义（低） | 250 | >220 |
| 相对成本 | 1 | 4 | 4-100 | 4 |
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