晶圆加工临时粘合膜和旋涂胶粘剂

在CMP、PVD和晶圆加工中，增加了成熟的AI Technology高温低热阻粘接材料解决方案。

除了在高真空、高温和低热阻界面粘接介质方面取得了无可比拟的使用记录外，AI Technology临时粘接胶解决方案是美国创新和生产的最全面的材料解决方案。

(The Microlab at Berkeley and SPTS both use AIT solutions: 

Microlab at Berkeley

SPTS )

AI Technology公司拥有一些最先进的材料和经验丰富的化学家，为薄化晶圆的关键半导体和微电子操作的临时粘接材料和解决方案的配方和定制化，以获得优异的性能，目前AI Technology公司是一家在薄膜（全球首创）和旋涂技术的晶圆加工粘合剂家族，用于超高温（超过330℃）高真空操作和分子结构的热滑移、溶剂和/或激光辅助分离的晶圆加工粘合剂。

晶圆加工膜和旋涂胶，可实现宽广的加工窗口。

  • 5-80微米和更薄的薄膜，可实现更薄、更精确的晶圆加工。
  • 唯一的非极性胶粘剂，可在高达320°C的无应力温度下进行无应力加工。
  • 高达330°C的无应力高温加工用改性氰酸酯
  • 清晰透明的处理对位

包括3DTSV在内的AI Technology晶圆加工粘合剂的特性。

  • 在60微米及更厚的熔融流粘接膜中，首次应用于高拓扑晶圆加工的60微米及更厚的熔融流粘接膜
  • 在150°C的适度温度下，短的粘接时间为数秒，以免产生不适当的内应力。
  • 硫化后的交联胶强度和稳定性，用于机械式晶圆研磨变薄。
  • 分子热稳定性和抗压强度，在300-330℃的温度下进行三维加工，不会降低结合强度，也不会产生任何放气造成空洞。
PARAMETERWPA-TS-320WPA-TL-330
释放-分离机制
  • 热滑梯
  • 溶剂辅助
  • 热滑梯
  • 溶剂辅助
  • 激光辅助
所提供的格式和粘合
  • 在载体晶圆基板上熔融粘合的离型衬垫上的薄膜
  • 用于旋涂到载体晶片基体上的液体
  • 在150°C温度下的真空熔融粘合
可用厚度
  • 5、10、20、40和80微米的薄膜与其他厚度的离型衬里夹层可供选择
  • 1,200 cps用于旋转涂层，典型厚度为10微米（可稀释为更薄的薄膜）。
聚合物和温度能力
  • 非极性聚合物
  • 320°C超过30分钟，减重0.0％，温度超过30分钟。
  • 改性氰酸酯
  • 330°C 60分钟以上，减重0.0％，温度超过60分钟。
分离-释放温度和清洗
  • 热滑动>180°C的真空卡盘，或
  • 用溶剂辅助剥离法剥离
  • 热滑动>300°C的真空卡盘，或
  • 激光脱聚 >450°C
  • 用溶剂辅助剥离法剥离
化学和酸碱相容性
  • 耐极性溶剂的旋涂电阻等。
  • 不受电镀用酸碱溶液等的影响。
蚀刻及其他工艺
  • 干式和湿式蚀刻、CMP和PVD技术
  • 出色的粘接性，可在320-330°C条件下耐受60分钟以上，无任何减重或放气现象。

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